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硅槽刻蚀技术中的源气体选择
硅槽刻蚀技术中的源气体选择
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zht20090907
【摘 要】
:
源气体及组分的选择是硅槽刻蚀技术的关键因素。本文介绍了刻蚀过程中源气体及组分对硅的作用方式,从刻蚀速率、侧壁钝化、损伤、刻蚀均匀性等方面分析比较了近年来所出现的几
【作 者】
:
王清平
苏韧
【机 构】
:
四川重庆电子工业部第24研究所
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1994年6期
【关键词】
:
硅槽刻蚀
源气体
刻蚀
Si trench etching
Source gas
IC process
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源气体及组分的选择是硅槽刻蚀技术的关键因素。本文介绍了刻蚀过程中源气体及组分对硅的作用方式,从刻蚀速率、侧壁钝化、损伤、刻蚀均匀性等方面分析比较了近年来所出现的几种硅糟刻蚀用源气体及组分。
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