【摘 要】
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Y2002-63318-139 0327868使用自校准技术及氢退火制造高可靠性沟道DMOS—FET的一种新处理技术=Anovel process technique forfabricating high reliable trench DMOSFETs us
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Y2002-63318-139 0327868使用自校准技术及氢退火制造高可靠性沟道DMOS—FET的一种新处理技术=Anovel process technique forfabricating high reliable trench DMOSFETs using self-align technique and hydrogen annealing[会,英]/Kim,J.＆Roh,T.M.//2001 IEEE Proceedings of the 13thInternational Symposium on Power Semiconductor De-vices＆ICs.—139-142
Y2002-63318-139 0327868 A novel processing technique for fabricating high reliability trench DMOS-FETs using self-aligned techniques and hydrogen anneal = self-align technique and hydrogen annealing [ / Kim, J. & Roh, TM // 2001 IEEE Proceedings of the 13th International Symposium on Power Semiconductor De-vices & ICs. -139-142
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