【摘 要】
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利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜,系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻(TMR)效应.在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%.在同样
【机 构】
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兰州大学教育部应用磁学开放实验室,兰州,730000
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利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜,系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻(TMR)效应.在fv=0.33处得到最大磁电阻值为-3.3%.在同样的制备条件下保持fv=0.33,用Co取代Fe得到一系列的(Fe100-xCox)0.33(SiO2)0.67的颗粒膜.对其TMR的研究发现在x=53时得到最大的磁电阻值-4.5%,且Co对Fe的替代基本没有影响薄膜的微结构.由Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率P和Co的原子百分数x的关系曲线和实验测得的TMR-x曲线具有相似的变化趋势.表明在FeCo-SiO2膜中由于磁性颗粒自旋极化率P的提高而使TMR变大.
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