非晶硅的光致变化效应研究

来源 :材料科学进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiao_ai1989
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本文较系统地研究了 GD a-Si∶H 中的光致变化效应对曝光强度、曝光光子能量和曝光温度三个基本参量的依赖关系,发现光、暗电导的光致变化的饱和值明显地依赖于曝光强度。 In this paper, we systematically studied the dependence of the photodissociation effect in GD a-Si:H on three basic parameters of exposure intensity, energy of exposure photon and exposure temperature. It is found that the saturation value of photochromism of light and dark conductance obviously Depends on the intensity of exposure.
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