【摘 要】
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日本三菱电机公司研制了并列多个栅条的倒装型大功率GaAsFET。试制的FET的结构与过去的微波GaAsFET相同,但为了适用于高频段,把单位栅条长度做成100μm,为以前的一半。由于
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日本三菱电机公司研制了并列多个栅条的倒装型大功率GaAsFET。试制的FET的结构与过去的微波GaAsFET相同,但为了适用于高频段,把单位栅条长度做成100μm,为以前的一半。由于在30GHz下片子横向相位的影响,FET片子尺寸受到限制,因此总栅宽是按每单元栅宽为1200μm构成的。采用与过去相同的深凹槽剥离法预计可提高耐压和降低源阻抗。所用GaAs外延有源层的
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