【摘 要】
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采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅（PZT）铁电陶瓷,研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响。研究结果表明,随着
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(51310Z02)
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采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅（PZT）铁电陶瓷,研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成、微观结构、介电性能、压电性能及铁电性能的影响。研究结果表明,随着In2O3掺杂量的增加,PZT材料在准同型相界处三方相减少四方相增加,适量掺入In2O3有利于晶粒均匀生长。在不同的铟掺杂剂量下,PZT陶瓷材料分别具有最佳的铁电及压电性能。当铟掺杂量为0.1%（质量分数）时,PZT材料具有最佳的铁电性能,其剩余极化强度为23.43μC/cm2,矫顽场为9.783kV/cm。当铟掺杂量为0.3
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