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介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。采用真空退火为的是增强钼对氮化物层的粘附性。这对ＫＯＨ腐蚀是非常重要的。实验表明这些特殊工艺步骤对ＭＯＳ器件特性毫无影响。
适合于本体微机械加工的改进的MOS IC工艺
【摘 要】
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介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。采用真空退火为的是增强钼对氮化物层的粘附性。这对ＫＯＨ腐蚀是非常重
【出 处】
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半导体情报
【发表日期】
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1997年2期
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