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从量子力学的微挠理论角度分析散射机制的基本理论,总结了半导体中几种重要的散射机制并给出了散射率的一般表达式,给出一具体的例子,分析了Si中的散射机制,用蒙特卡罗方法模拟了Si中的各种散射机制的散射率和其中载流子的运动状态.
半导体器件模拟中的散射机制
【摘 要】
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从量子力学的微挠理论角度分析散射机制的基本理论,总结了半导体中几种重要的散射机制并给出了散射率的一般表达式,给出一具体的例子,分析了Si中的散射机制,用蒙特卡罗方法模
【机 构】
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贵州大学电子科学系
【出 处】
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贵州大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2004年4期
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