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本文采用射频磁控溅射法在玻璃衬底表面制备了Al掺杂的ZnO薄膜(AZO膜)及AZO/Cu/AZO复合层薄膜,使用四探针薄膜方阻仪、分光光度计、XRD和辉光放电发射光谱仪对薄膜光电性能及成分进行了表征分析。研究了制备工艺参数和各膜层厚度对单层AZO及AZO/Cu/AZO薄膜光电性能的影响,并在衬底室温条件下制备了方阻低至65 Ω/□、平均透过率达85%的复合层薄膜。