【摘 要】
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Ag SnO_2是一种较为理想的Ag Cd O替代材料,但由于其中SnO_2近乎绝缘,使得触头材料的接触电阻增大,故改善SnO_2的导电性是急需解决的重大难题。采用基于密度泛函理论的第一性
【机 构】
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河北工业大学电磁场与电器可靠性省部共建重点实验室
【基金项目】
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河北省自然科学基金项目（E2016202106）, 河北省高等学校科学技术研究项目（ZD2016078）
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Ag SnO_2是一种较为理想的Ag Cd O替代材料,但由于其中SnO_2近乎绝缘,使得触头材料的接触电阻增大,故改善SnO_2的导电性是急需解决的重大难题。采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法,通过建模的方法,分别建立不同比例（50%、25%、16.67%、12.5%、8.34%）La掺杂的SnO_2晶胞模型,并计算分析其晶格常数、电荷布居、能带结构和态密度等性质。结果表明,La掺杂后触头材料中的SnO_2仍属于直接带隙半导体材料,但其禁带宽度变小,载流子浓度变大,使得材料的导电性增强。当La掺杂比
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