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该集成电路(IC)及模块主要涉及以下关键技术:(1)射频控制类IC技术。采用0.5um工艺技术加工的赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)具有较低的沟道电阻、较高的击穿电压,结合精确的金属膜电阻技术和通孔技术,可实现低插损、高隔离的射频开关芯片设计。(2)砷化镓多功能IC设计技术。采用E/D(增强型/耗尽型)PHEMT技术,将E型和D型器件集成到1个工艺平台上,可减小芯片面积、提高产品集成度和性价比。