【摘 要】
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采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明
【机 构】
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昆明物理研究所,云南昆明,650223
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采用不同工艺制备了中波碲镉汞(HgCdTe)雪崩二极管(APD)器件,利用不同方法对其结特性和增益随偏压变化关系进行了表征,并基于Beck模型和肖克莱解析式进行了拟合分析.结果表明,不同工艺制备的APD器件饱和耗尽区宽度分别为1.2 μm和2.5 μm,较宽的耗尽层有效抑制了高反偏下器件的隧道电流,器件有效增益则从近100提高至1000以上.用肖克莱解析式拟合HgCdTe APD器件增益-偏压曲线,获得了较好的效果.拟合结果与Sofradir公司的J.Rothman的报道相似.
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