可见光区的双缺陷一维磁性光子晶体磁光效应研究

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本文研究的双缺陷一维磁性光子晶体系统由电介质层和缺陷层组成。经计算得出,当n=8(n为电介质层的周期数)时,结果最为理想。其法拉第旋转角θF能达到-46.79°,透射率T可达99.95%。满足磁光隔离器的制作要求,同时高效的磁性旋光材料能让元件的尺寸进一步缩小。
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