【摘 要】
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研究了一种GaAs层结构在[110]方向外部单轴应力下基于光致发光（PL）谱的测试方法.层结构的应力由螺旋测微器施加,可以产生平面内的压（拉）应力和应变,大小可以由胡克定律算出.随着
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研究了一种GaAs层结构在[110]方向外部单轴应力下基于光致发光（PL）谱的测试方法.层结构的应力由螺旋测微器施加,可以产生平面内的压（拉）应力和应变,大小可以由胡克定律算出.随着应力的增大,观察到了谱峰明显的蓝移.在一系列的加压后,在 1.432 eV,有一个新的峰出现在原有的峰的肩部附近,随着压力增加,两个峰逐渐分开.同时 PL 峰的半峰宽随着应力增加而逐渐加大.最后,本文根据实验结果分析了静水和单轴应力的不同.
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