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在单晶Si片上热生长一层SiO2薄膜,再利用真空淀积的方法制备一层Al薄膜,然后通过铝阳极氧化的方法获得一层多孔Al2O3薄膜.利用JSM-35C扫描电子显微镜观测了该Al2O3薄膜的形貌.通过对Al2O3薄膜电阻与相对湿度关系的测试,发现其具有较好的感湿特性和较宽的感湿范围.
多孔Al2O3薄膜的研制
【摘 要】
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在单晶Si片上热生长一层SiO2薄膜,再利用真空淀积的方法制备一层Al薄膜,然后通过铝阳极氧化的方法获得一层多孔Al2O3薄膜.利用JSM-35C扫描电子显微镜观测了该Al2O3薄膜的形貌
【机 构】
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北京理工大学
【出 处】
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传感器技术
【发表日期】
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2003年2期
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