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用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压，纯Ａｒ气氛，基片分别为加热３００℃和不加热的情况下制备的Ｎｏ．２系列和Ｎｏ．７系列的用Ｙ２Ｏ３稳定的ＺｒＯ２薄膜（简称ＹＳＺ膜）。研究发现：ＹＳＺ膜心部区Ｓ参数随退火温度升高而降低；ＹＳＺ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄；基片加热，有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织。