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采用射频共油射方法将微晶锗纳米颗粒埋入ＳｉＯ２介质中，然后在不同温度的氮气氛中进行热处理。用拉曼光谱、变温电导特性测试等实验分析手段进行特性研究。结果表明，埋入ＳｉＯ２介质中的微晶锗的平均胡热处理的条件变化而变化，复合薄膜的光致发光的强度电导率与微晶锗的平均尺寸有关。当微晶锗的平均尺寸约３ｎｍ时，复合薄膜的电导率最大，光致发光的强度在２．１７５ｅｖ和２．２４６ｅｖ峰位处得到加强。