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报道了采用红外椭圆偏振光谱术测量ＧａＡｓ体材料的射率，测量范围为２．５－１２．５μｍ并将所得实验数据与理论计算和其它实验结果进行了对比，实验结果的可靠性。
GaAs体材料折射率红外椭圆偏振光谱研究
【摘 要】
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报道了采用红外椭圆偏振光谱术测量ＧａＡｓ体材料的射率，测量范围为２．５－１２．５μｍ并将所得实验数据与理论计算和其它实验结果进行了对比，实验结果的可靠性。
【机 构】
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中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,复旦大学物理系
【出 处】
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红外与毫米波学报
【发表日期】
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1999年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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