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本文是以前对Ag/CdO和Ag/SnO_2触头在AC3和AC4条件下研究不同电弧侵蚀的继续。以前的文章是研究触头开断时的侵蚀,本文则只是考虑触头弹跳和关合侵蚀。测量结果表明,现代接触器触头弹跳的幅度只有0.1mm的数量级。在这样的条件下,Ag/SnO_2触头关合的电弧侵蚀比Ag/CdO大2—3倍。为了更好地探知其侵蚀机理研究了各种因素的影响。