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在熔盐电解精炼基础上结合常温酸洗技术对冶金硅进行精炼提纯制备太阳能级多晶硅。采用SEM对熔盐电解精炼前后冶金硅阳极表面和产物硅进行表征。考察了熔盐电解解精炼和酸洗过程中主要工艺参数：电精炼电压、电精炼温度、浸出剂种类、酸洗时间等对硅中杂质去除率的影响。当在2.0 V1、000 K条件下,电解精炼400 min再结合5%HNO3＋5%HF混合酸酸洗8 h后产物硅中各杂质含量均小于1 ppm,产物硅的纯度达到99.999 9%以上。