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对硅片直接键合方法制作的SOI横向二极管的击穿特性在不同条件下进行了测量，通过计算机模拟分析了击穿机理，从器件的几何尺寸和衬底偏置电压方面，提出了提高击穿电压的途径。
SOI横向二极管击穿特性分析
【摘 要】
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对硅片直接键合方法制作的SOI横向二极管的击穿特性在不同条件下进行了测量，通过计算机模拟分析了击穿机理，从器件的几何尺寸和衬底偏置电压方面，提出了提高击穿电压的途径。
【机 构】
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上海大学物理系200436
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2001年2期
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