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文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 × 256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μm,截止波长为5.0μm.
HgCdTe微台面红外焦平面技术研究
【摘 要】
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文章报导了采用液相外延(LPE)生长P型材料、B离子注入成结、全干法深台面刻蚀、深台面侧向钝化及电极引出技术制备出中波320 × 256HgCdTe微台面阵列结构,其相元中心距为30μ
【机 构】
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华北光电技术研究所,北京,100015
【出 处】
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首届全国先进焦平面技术研讨会
【发表日期】
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2005年8期
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