【摘 要】
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三、闪烁存储器闪烁存储器是在1987年提出来的[11]，是EEPROM走向成熟和半导体生产技术发展到1μm以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产物。本节首先介绍EEPROM的版图结构、
【机 构】
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中国华晶电子集团公司中央研究所!无锡，214035,中国华晶电子集团公司中央研究所!无锡，214035,东南大学微电子中心!南京210096
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三、闪烁存储器闪烁存储器是在1987年提出来的[11]，是EEPROM走向成熟和半导体生产技术发展到1μm以下以及对大容量电可擦除存储器要求的产物。本节首先介绍EEPROM的版图结构、电路（单元）结构及阵列结构；在分析了闪烁存储器市场之后，再对EEPROM和闪烁在储器的性能进行对比
Third, the flash memory Flash memory is proposed in 1987 [11], is the maturity of the EEPROM and the semiconductor production technology to develop to 1μm and below the large-capacity electrical erasable memory products. This section first introduces the layout of the EEPROM, the structure of the circuit (cell), and the structure of the array. After analyzing the flash memory market, we compare the performance of the EEPROM with that flashing in the memory
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