基于55nm平台的DDR存储器高速I/O电路的设计研究

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基于55nm平台,自主设计DDR存储器的高速I/O电路,设计符合ONFI3.2协议,满足DDR2的设计参数,且兼容SDR和DDR1。本设计的仿真验证结果,符合高速I/O设计应用要求。高速设计的难点在于,在设计之初就要考虑到差分信号的匹配及寄生参数影响的消除,设计经过电路和版图的反复研究修改,最终成功实现设计目标,能够满足高速DDR存储器的I/O接口支持。
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