【摘 要】
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利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试。针对现有的丝网印刷碳纳米管（CNTs）薄膜需要各种后处理工艺后才能改善
【机 构】
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西安交通大学电子与信息工程学院,西安工业大学材料与化工学院
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利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试。针对现有的丝网印刷碳纳米管（CNTs）薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺。用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm（电流密度为1μA/cm^2）,在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀。说明该方法成本低,工艺简单,无需任何
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