电子和离子输运支配状态下的输运垒

来源 :国外核聚变 | 被引量 : 0次 | 上传用户:JohnWaken19
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通过在等离子体边缘(H模式)或在等离子体的内部区域形成局域输运垒(ITB),在多数情形下继续进行除普通L模式外的约束改变,对上述 情况的标准解释是剪切E×B旋转层的形成猝灭了通常占优的湍流,关于内输运垒,在两种完全不同的情形下观察到上述现象:以离子或电子加热为主,Tc明显低于或高于Ti.然而,与堆相关的状态是一种Tc和Ti几乎相等的状态,ECRH的可用性(C及在较小程度上LH或FW加热的可用性)能以可控的方式研究Tc/Ti比的效应,离子温度梯度和捕获电子模驱动的湍流的标准输运模型预测(对于有明显
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