论文部分内容阅读
使用Nb箔作中间层对常压烧结SiC陶瓷进行了真空扩散连接。在最初的反应阶段,六方晶的Nb2C和Nb6Si3Cx反应物分别在Nb和Si侧形成。随着连接时间的增加,立方晶的NbC和六方晶的NbSi2相在界面出现。试验结果表明,在1790K,36ks的连接条件下所获得的扫头,其室温剪切强度达到187MPa,高温剪切强度超过150MP。