膜去溶和ICP—MS联用冷焰模式直接测定CMOSII40%-HF中金属离子的含量

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文章建立了直接测定半导体二级40%含量氢氟酸(CMOSII40%-HF)多元素含量的方法。以膜去溶作为进样系统,电感耦合等离子体质谱仪(ICP—MS)作为分析仪器,分别采用热焰和冷焰模式分析,首先测定CMOSII40%-HF,然后测定以Be、Co、In和Bi作为加标的CMOSII40%-HF,加标样品测定加标回收率,同时测定Na、Mg、K、Ca和Fe的检出限。实验结果证明该方法具有进样速度快、精密度高等优点,冷焰模式降低了Na、Mg、K、Ca和Fe的检出限,同时降低了CMOSII40%-HF的检出下限,提
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