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碳化硅作为具有良好性能的第三代半导体材料,在MEMS、高能半导体器件等领域具有很大发展潜力.但该类材料硬度高、脆性大,加工困难,通常采用化学机械抛光（CMP）实现其基片表面的全局平坦化加工.CMP依靠嵌入抛光垫的磨粒对基片表面化学改性层进行机械去除,切削深度为纳米级.
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【摘 要】
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碳化硅作为具有良好性能的第三代半导体材料,在MEMS、高能半导体器件等领域具有很大发展潜力.但该类材料硬度高、脆性大,加工困难,通常采用化学机械抛光（CMP）实现其基片表面的
【机 构】
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哈尔滨工业大学机电工程学院
【出 处】
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材料科学与工艺
【发表日期】
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2018年3期
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