【摘 要】
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功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关。相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接
【机 构】
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南京航空航天大学,三江学院,东南大学
【基金项目】
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江苏高校品牌专业建设工程资助项目(PPZY2015A033),校级项目“高效率的超结功率MOSFET的设计”(KZ2018075)
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功率器件的频率响应特性与其电容特性密切相关。相比于主要由沟槽底部宽度决定的普通沟槽型MOS器件栅漏电容,SGT MOS器件由于栅极在沟槽上半部分通过侧边氧化层、漂移区连接漏级,需要考虑4部分电容的并联。因此,建立SGT MOS器件的电容模型并加以仿真分析,验证了SGT MOS器件在电容特性上具有的绝对优势。
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