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采用KrF脉冲准分子激光器烧蚀金刚石结构多晶Ge靶材,选取合适的靶与衬底间的距离、氩气压力以及沉积时间,在单晶Si(100)衬底上首次制备了四方结构的Ge纳米颗粒,扫描电子显微镜表征显示这些Ge纳米颗粒有橄榄球状的外形。透射电子显微镜和选区电子衍射结果显示,这些橄榄球状的Ge纳米颗粒是四方结构的单晶。而这些Ge纳米颗粒的形成是由于脉冲激光击打Ge靶产生的小的团簇在局域高温的作用下生成四方结构的团簇,而这些四方结构的团簇和Ar气原子发生碰撞并聚集到一起形成橄榄球状Ge纳米颗粒。