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用分光光度法及电化学法详细研究了在稀硫酸介质，分别加ＥＤＴＡ到锗－没食子酸，Ｇｅ－ＧＡ－Ｖ体系以及Ｖ溶液中，所产生的影响。结果表明，ＥＤＴＡ使Ｇｅ－ＧＡ体系的两步２电子反应过程变得清Ｇｅ－ＧＡ－Ｖ体系因Ｖ２Ｈ３Ｙ＾－Ｇ形成，增强了Ｖ的化学氧化力。
乙二胺四乙酸对锗（Ⅳ）—没食子酸体系及钒（Ⅳ）的示波极谱电流的影响
【摘 要】
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用分光光度法及电化学法详细研究了在稀硫酸介质，分别加ＥＤＴＡ到锗－没食子酸，Ｇｅ－ＧＡ－Ｖ体系以及Ｖ溶液中，所产生的影响。结果表明，ＥＤＴＡ使Ｇｅ－ＧＡ体系的两步２电子反应过程变得清Ｇｅ－ＧＡ－Ｖ体系因Ｖ２Ｈ３Ｙ＾－Ｇ形成，增强了Ｖ的化学氧化力。
【机 构】
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冶金部钢铁研究总院
【出 处】
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分析化学
【发表日期】
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1997年3期
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