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SiC／ZL109复合材料中增强体SiC分别在不同的氧化温度（800、900、1000、1100℃）下高温氧化5h，并通过搅拌铸造法制备复合材料。结果表明，SiC氧化温度在800℃时，SiC颗粒氧化层基本形成；在800℃以上，SiC颗粒被氧化层全部覆盖。在800-1100℃，SiO2层厚度的变化范围在0．096-0．5425μm，其中在1000℃时，SiC增厚0．383μm。在1000℃氧化5h条件下，SiC／ZL109复合材料的界面存在MgAl2O4相，但无脆性相Al4C3存在，这有利于界面结合，且此条