【摘 要】
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本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺
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本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义.
In this paper, three sources of carbon contamination in SiCl 4 epitaxial growth silicon crystal are analyzed in detail by using thermodynamic calculation method.The results show that the understanding of SiC contamination in epitaxial silicon, epitaxial technology and preparation and purification of H 1, SiCl 4 raw materials Process improvement will have some reference value.
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