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当前BCD工艺中所集成的功率器件的电极都是从芯片表面引出，这会增加芯片面积、引入更多寄生效应、增加高压互连的复杂度．为解决现有BCD工艺存在的缺陷，提出了一种集成有高压VDMOS器件，并将VDMOS的漏极从芯片背面引出的BCD工艺．仿真得到VDMOS的阈值电压为2．5V，击穿电压为161V；NPN管和PNP管的C-E耐压分别为47．32V、32．73V，G分别为39．68、9．8；NMOS管和PMOS管的阈值电压分别为0．65V、-1.16V，D-S耐压分别为17．37V、14．72V．