【摘 要】
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本文利用电子背散射衍射（EBSD）技术研究了等径弯曲通道挤压（ECAP）不同道次下纯Cu样品取向差分布、晶粒尺寸和织构的演变规律。分析可知：随着ECAP挤压道次的增加,纯Cu样品晶粒由原
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本文利用电子背散射衍射（EBSD）技术研究了等径弯曲通道挤压（ECAP）不同道次下纯Cu样品取向差分布、晶粒尺寸和织构的演变规律。分析可知：随着ECAP挤压道次的增加,纯Cu样品晶粒由原始的等轴晶转变为挤压后的长轴晶,晶内出现大量位错进而发展为亚晶,最终演变为均匀细化的等轴晶,从而达到细化晶粒的效果;经ECAP挤压后,纯Cu样品晶粒尺寸由原始的约34μm变为挤压6道次后的约6μm,晶粒发生取向择优,产生〈110〉纤维织构。
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