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本文采用射频磁控溅射法在玻璃衬底表面制备了Al2O3掺杂的ZnO薄膜(AZO膜),使用四探针薄膜方阻仪、XRD和分光光度计对AZO薄膜光电性能进行了表征分析。研究了制备参数和退火条件对AZO薄膜光电性能的影响,获得了制备高透过率(90%)和低方阻(15 Ω/□) AZO薄膜最佳工艺参数。