CMOS低相位噪声压控振荡器的设计

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基于65nm CMOS标准工艺库,设计了一个工作频率在10GHz的具有低相位噪声的CMOS电感电容型压控振荡器。该压控振荡器选用CMOS互补交叉耦合型电路结构,采用威尔逊型尾电流源负反馈技术来降低相位噪声。仿真结果表明,此压控振荡器工作频率覆盖范围为9.9~11.2GHz,调谐范围为12.3%,中心频率为10.5GHz,在频率偏移中心频率1MHz下的相位噪声为-113.3dBc/Hz,核心功耗为2.25mW。 Based on the 65nm CMOS standard technology library, a CMOS inductive and capacitive voltage-controlled oscillator with low phase noise at 10GHz is designed. The voltage-controlled oscillator using CMOS complementary cross-coupled circuit structure, the use of Wilson-type tail current source negative feedback technology to reduce the phase noise. The simulation results show that the operating frequency range of the voltage-controlled oscillator is 9.9 ~ 11.2GHz, the tuning range is 12.3%, the center frequency is 10.5GHz, the phase noise is -113.3dBc / Hz at the frequency offset center frequency of 1MHz, Power consumption is 2.25mW.
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