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采用射频等离子增强化学气相沉积（RF．PECVD）技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料。在优化其它沉积参数的条件下，研究等离子功率密度对微晶硅薄膜材料微结构的影响。通过x射线衍射谱，拉曼光谱，红外吸收谱以及SEN来表征了微晶硅薄膜材料的微结构。结果显示：随着射频功率的增加，微晶硅薄膜的晶化率提高，晶粒尺度减小，薄膜呈小晶粒生长，薄膜中氢含量减少，微结构因子增加，薄膜生长表现出不均匀性。