【摘 要】
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采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜.实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,200050
【出 处】
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2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议
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采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)衬底上分别沉积Cu、Ag、Pt薄膜.实验发现,若辅助轰击的Ar+离子束沿衬底法线方向入射,当离子/原子的到达比为0.2时,沉积的Cu膜呈(111)晶向,而Ag、Pt膜均呈(111)和(100)混合晶向.当Ar+离子束偏离衬底法线方向45°入射时,沉积的Cu、Ag、Pt膜均呈(111)择优取向.本文采用Monte Carlo方法模拟能量为500eV的Ar+离子注入Ag单晶所引起的原子级联碰撞过程,分别算得Ar+离子入射Ag单晶(100)表面、(111)表面,Ar+离子的溅射率与入射角和方位角的关系.本文对离子注入的沟道效应和薄膜表面的自由能对薄膜择优取向的影响作了初步的探讨和分析.
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