【摘 要】
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采用泥浆预涂层反应法在C／SiC复合材料表面制备Si／SiC涂层。通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比；研究了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结2种不同烧结气氛对Si／Si
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室
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采用泥浆预涂层反应法在C／SiC复合材料表面制备Si／SiC涂层。通过理论计算和实验确定了制备致密不开裂涂层的泥浆配比；研究了埋粉烧结和气相硅真空反应烧结2种不同烧结气氛对Si／SiC涂层微观形貌和成分的影响；比较了单涂层和双涂层2种不同涂层制备方法对C／SiC复合材料基底结构的影响；用SEM观察涂层形貌，用XRD分析涂层成分与晶体结构。结果表明：泥浆中C：Si（质量比）在1：1．25左右制备的涂层不开裂；埋粉烧结制备的涂层成粉，而气相硅真空反应烧结制备的涂层致密且与基底结合好；单涂层法制备涂层后基底材料
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