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本文阐述了SiC功率器件最近的研发动向,提出了SiC与Si-IGBT的混合模块方案,对比全Si-IGBT,开关损耗能降低30%,回复损耗降低50%,可实现大电流化和成本的下降;提出了沟槽式SBD方案,因此可降低势垒高度并大幅度减小Vf。作为充分发挥SiC特点的新器件,正开发具有双向耐压、反向阻挡的RB-MOSFET,在高电压双向开发中,SiC反向阻挡MOSFET的优越性等均已得到实验证实。