【摘 要】
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采用氢（H）扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究。氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现。实验结果显示,在栅电极图形化后,是否继续进行栅介质
【机 构】
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北京大学薄膜晶体管与先进显示重点实验室;
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采用氢（H）扩散掺杂源漏的方法对自对准顶栅a-IGZO TFT的制备工艺进行了研究。氢的扩散掺杂通过PECVD生长SiNx钝化层而实现。实验结果显示,在栅电极图形化后,是否继续进行栅介质刻蚀对器件性能有较大影响。对刻蚀了SiO2栅介质层的器件,发现其泄漏电流较大,这可能是由于有源层侧壁的刻蚀残留物导致的;短沟道器件阈值电压偏负且在经过退火后迁移率减小,则是由于严重的H横向扩散导致的。对未刻蚀SiO2栅介质层的器件,发现其阈值电压相对偏正,应该是因为SiO2栅介质对H的掺杂有一定的阻挡作用,导致H的横向扩散得到了抑制;器件在经过退火后迁移率上升,开态电流增大,应该是因为未刻蚀栅介质中的H热扩散到下方的源漏区域,降低了源漏电阻。
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