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利用平行板电极装置测定了四甲基硅于某些波长点处的激光光强指数,讨论了多光子电离(mPI)谱中某些话线的归属。通过对飞行时间(TOF)质谱峰宽的分析并结合质谱实验结果,讨论了该分子可能的mPI过程,得到了较高能量下SI 的产生仍以中性碎片的解离──硅原子的电离为主,而SI＝(N＝1～3)的形成则以中性碎片的自电离为主的结论。