P-MOS电路在使用中的一些问题

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目前,我国生产的P-MOS一般是P沟道增强型绝缘栅场效应管组成的中、小规模集成电路组件。七十年代初,在我国问世时,只作为组装台式计算机的品种系列。由于P-MOS有如下三大特征: (1)工艺较简单,成品率高,价格便宜; (2)便于集成化,品种齐全; (3)抗干扰性强,功耗很小。其应用范围迅速扩大。但主要缺点是速度较TTL集成电路低,因而在微处理机领域中,P-MOS已被淘汰,代之以N-MOS和C-MOS等新器件。但对于本身速度要求不高的自动化数字系统来说,其三大特征 At present, China’s P-MOS is generally P-channel enhanced insulated gate field effect transistor composed of medium and small scale integrated circuit components. The early seventies, when the advent of our country, only as a series of desktop computers assembled varieties. As P-MOS has the following three major characteristics: (1) process is relatively simple, high yield, low price; (2) easy integration, variety complete; (3) strong anti-interference, power consumption is small. Its scope of application rapidly expanded. But the main disadvantage is that the speed is lower than the TTL IC, so in the field of microprocessors, P-MOS has been eliminated, replaced by new devices such as N-MOS and C-MOS. But for its own speed less demanding automated digital system, its three major characteristics
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