【摘 要】
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采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、
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采用连续离子层吸附法,以ZnO纳米棒阵列为模板,将窄带CdS和更窄带层状MoS2依次包覆在ZnO纳米棒表面,得到一种ZnO/CdS/MoS2异质结纳米棒阵列.利用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜和拉曼光谱对产物进行了表征.结果表明,CdS鞘和MoS2鞘依次均匀地包覆在垂直生长的ZnO纳米棒上,且结合过程中未明显影响内芯ZnO的棒状结构.在异质结结构中,ZnO/CdS界面、CdS/MoS2界面接触良好且晶格失配率低.此外,一维ZnO纳米棒阵列的存在也抑制了MoS2在c轴方向上的堆积,使包覆在
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