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通过在Ａｒ＋Ｃｈ４气体中的射频反应溅射法制备出ＧｅｘＣ１－ｘｄ薄膜。利用俄歇电子能谱，Ｘ射线衍射，光度计及硬度测定等研究了沉积薄膜的成分，结构和性能。结果表明，薄膜中的Ｇｅ／Ｃ原子比随气体流量比ＣＨ４／（Ａｒ＋ＣＨ４）的增加而下降。
射频反应溅射GexC1—x薄膜的特性
【摘 要】
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通过在Ａｒ＋Ｃｈ４气体中的射频反应溅射法制备出ＧｅｘＣ１－ｘｄ薄膜。利用俄歇电子能谱，Ｘ射线衍射，光度计及硬度测定等研究了沉积薄膜的成分，结构和性能。结果表明，薄膜中的Ｇｅ／Ｃ原子比随气体流量比ＣＨ４／（Ａｒ＋ＣＨ４）的增加而下降
【机 构】
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西北工业大学材料科学与工程系
【出 处】
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红外技术
【发表日期】
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1996年5期
【基金项目】
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航空科学基金
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