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在考虑微小磁相互作用（包括SS、SOO和OO作用）的基础上，采用全组态完全对角化方法，建立了Al2O3晶体中V^2＋离子的局域结构与自旋哈密顿参量定量关系，对Al2O3：V^2＋晶体基态和激发态零场分裂以及基态g因子等自旋哈密顿（SH）参量给出了统一的解释。结果表明，V^2＋离子进入Al2O3晶体后，上下配体氧平面分别沿C，轴向远离三角中心的方向移动了0．0021nm和0．0020nm。理论计算结果与实验值符合甚好。