论文部分内容阅读
在使用综合参数测试仪测试半导体量子阱激光器的过程中,通过测试的功率曲线和伏安特性,断定激光器受到损伤,由扫描电镜(SEM:Scaning Electron Microscopy)观察到激光器的腔面出现了熔化,证实激光器性能的改变是由于产生了暗线缺陷(DLD:Dark Line Difect)和灾变性光损伤(COD:C atastrophic Optical Damage),通过分析,了解到激光器的退化主要是由器件本身的材料、结构以及后期的工艺过程所决定的,在测试器件过程中电浪涌会加速或产生突然灾变性退化,