【摘 要】
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主要研究了碱性清洗剂中不同体积分数FA/O型活性剂对SiO2颗粒沾污去除的影响。由金相显微镜实验可以看出,随着FA/O型活性剂体积分数的增加,SiO2颗粒沾污去除效果先升高后降低
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室,
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主要研究了碱性清洗剂中不同体积分数FA/O型活性剂对SiO2颗粒沾污去除的影响。由金相显微镜实验可以看出,随着FA/O型活性剂体积分数的增加,SiO2颗粒沾污去除效果先升高后降低,在体积分数为0.25%时效果最优。由原子力显微镜（AFM）测试实验可以得出,当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时铜光片表面粗糙度最小,说明此时SiO2颗粒沾污得到了有效去除,适当的FA/O型活性剂体积分数能有效提高清洗后铜光片的表面质量。通过扫描电子显微镜（SEM）随机扫描,对SiO2颗粒沾污进行统计计算,得出当FA/O型活性剂体积分数为0.25%时SiO2颗粒沾污缺陷占总缺陷的百分比最小,说明FA/O型活性剂可以有效去除化学机械抛光后铜光片表面的SiO2颗粒沾污。
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